통상의 고체상 소결

과거 도자기는 주로 중유 터널 가마에서 소결되었으며, 요즘은 주로 전기로 (튜브로, 수직 형로, 상자 형로 등)에서 소결됩니다. 소결 환경은 제품의 성능 요구 사항에 따라 결정되거나 경제적으로 결정됩니다 인자. 수소, 아르곤, 질소와 같은 차폐 가스도 사용할 수 있으며 진공 상태 또는 대기 상태에서 소결 할 수 있습니다. 일부 산화물 제품, 특히 반도체 세라믹의 경우, 제품 품질은 소결 환경의 산소 농도에 매우 민감합니다.

순수 세라믹스를 소결시키는 것은 어렵 기 때문에 성능에 영향을주지 않으면 소결 온도를 낮추기 위해 일부 소결 보조제가 추가됩니다. 예를 들어, Al2O3 소결시 Tio2의 자리, MgO, MnO가 첨가되고 Si3N4 소결에 MgO, Y2O3, Al2O3을 사용할 수있어 온도를 크게 낮출 수 있습니다. 또 다른 효과적인 측정 방법은 작은 입자 크기, 더 높은 계면 에너지, 더 쉬운 소결 공정을 의미하기 때문에 분말 입자 크기를 줄이는 것입니다.

반응 소결, RS 또는 반응 밴딩, RB

반응 소결

Si3N4의 반응 소결은 다공성 실리콘 프레스 블랭크를 N2 환경에 놓고 1400 ℃로 가열하고 Si3N4를 형성합니다. 이것은 발열 반응이기 때문에 반응 속도를 조절하는 것이 매우 중요합니다. 반응이 너무 빠르면 국부적 인 온도가 실리콘의 융점보다 높아져서 한편으로는 더 많은 반응이 차단되고 다른 한편으로는 생성물에 큰 입자가 형성됩니다. 반응이 진행됨에 따라 질소 확산이 점점 더 어려워 지므로 반응을 완전히 끝낼 수 없으므로 제품 밀도가 비교적 낮아 일반적으로 약 90 %까지 도달합니다.

Si2ON2의 반응 소결은 Si, SiO2 및 CaF2 (또는 CaO, MgO와 같은 유리 형성 제)를 혼합하고 고온 환경 하에서 블랭크로 눌러서 실리콘이 소결 가스와 반응하여 CaF2, CaO, MgO가 유리상 SiO2. 질소가 용융 유리 내로 확산되고 Si2ON2 결정이 질소 포화 유리상으로부터 분리 될 것이고 반응 소결 된 실리콘 산 질화물의 밀도는 90 % 이상이 될 것이다.

SiC의 반응 소결 다공성 블랭크를 액체 실리콘에 담그고 최종 제품을 얻는다.

반응 소결의 장점은 공란의 치수가 공정 중에 기본적으로 변하지 않으므로 생산 치수를 정확하게 유지하는 것입니다. 프로세스가 간단하고 경제적이므로 대량 생산에 적용됩니다. 그러나 저밀도이기 때문에 재료의 기계적 물성이 높지 않다는 단점도있다.