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SOI 웨이퍼
IC 및 MEMS용 고속 SOI 웨이퍼 저전력 Silicon-on-Insulator IC 및 MEMS용 고속 SOI 웨이퍼 저전력 Silicon-on-Insulator

IC 및 MEMS용 고속 SOI 웨이퍼 저전력 Silicon-on-Insulator

얇은 실리콘 층이 절연 기판 위에 놓인 실리콘 온 절연체(silicon-on-insulator)인 SOI 웨이퍼는 커패시턴스, 누설 전류를 줄이고 스위칭 속도를 향상시켜 고속, 저전력 작동을 가능하게 하며, 마이크로 전자 공학에서 널리 채택되고 포토닉스 및 전자 공학 분야에서 새롭게 떠오르고 있습니다. MEMS.
  • 제품 번호. :

    CS-SOI-GP1001
  • Material : SiC

  • 기술

SiC 실리콘 카바이드 SOI 웨이퍼의 특성



  1. 향상된 작동 속도:
    • SOI 웨이퍼에 구축된 회로는 특정 전압에서 기존 실리콘 기판에 비해 작동 속도가 30% 증가합니다. 이러한 상당한 향상은 마이크로프로세서 및 기타 장치의 성능을 크게 향상시켜 첨단 전자 장치의 더 빠른 속도에 대한 요구에 부응합니다.
  2. 에너지 소비 감소:
    • SOI 웨이퍼는 상당한 30%-70% 에너지 손실 감소에 기여하므로 에너지 효율성이 가장 중요한 응용 분야에 이상적입니다. 이러한 에너지 절약 기능은 전력 집약적인 부문에서 특히 유용하며 보다 지속 가능한 운영을 보장합니다.
  3. 작동 내구성 향상:
    • SOI 소재는 350°C~500°C의 높은 온도를 견딜 수 있습니다, 탁월한 열 안정성을 보여줍니다. 이러한 견고성은 열악한 환경에서도 안정적으로 작동해야 하는 기기에 매우 중요하며 극한 조건에서도 중단 없는 성능을 보장합니다.
  4. 더 작은 패키지 크기:
    • SOI 웨이퍼는 소형 IC 패키지에 대한 수요 증가에 부응하여 IC 제조업체가 소형화 추세를 충족할 수 있도록 해줍니다. 이러한 크기 감소는 보다 컴팩트한 장치 개발을 지원할 뿐만 아니라 통합 및 효율성 향상을 위한 업계의 요구에도 부합합니다.



SiC 실리콘 카바이드 SOI 웨이퍼의 응용



  1. 고속 집적 회로:
    • SOI 웨이퍼를 사용하면 신속한 데이터 처리에 최적화된 고속 집적 회로를 만들 수 있습니다. 데이터 센터, 고빈도 거래 시스템, 등 초고속 성능이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.고급 컴퓨팅 플랫폼.
  2. 고온 집적 회로:
    • 상승된 온도에서 작동할 수 있는 능력을 갖춘 SOI 웨이퍼는 고온 집적 회로에 적합합니다. 따라서 장치가 극한의 열 조건에서도 안정적으로 작동해야 하는 자동차, 항공우주, 석유 및 가스와 같은 산업에서 매우 중요합니다.
  3. 저전력 집적 회로:
    • SOI 웨이퍼는 <137사물 인터넷(Internet of Things)<138, <139웨어러블 기술<140 및 <137기기에 중요한 저전력 집적 회로의 개발을 지원합니다. 141모바일 컴퓨팅 부문. 에너지 효율적인 설계는 배터리 수명을 연장하고 전체 전력 소비를 줄이는 데 도움이 됩니다.
  4. 저전압 집적 회로:
    • 이 웨이퍼는 저전압 집적 회로에 맞게 맞춤화되었습니다., 낮은 전원 전압이 필요한 애플리케이션에 적합합니다. 임베디드 시스템, 센서 네트워크, 휴대용 전자기기에 유용하며 제한된 전원에서도 효율적인 성능을 보장합니다.
  5. 전자레인지 장치 및 전력 장치:
    • SOI 웨이퍼는 마이크로웨이브 장치전력 장치에서 탁월한 성능을 제공합니다. 무선 통신, 레이더 시스템전력 관리 솔루션에 필수적이며 고주파 및 고전력 애플리케이션에서 높은 효율성과 신뢰성을 제공합니다.
  6. MEMS(Micro-Electromechanical Systems):
    • SOI 웨이퍼를 활용하여 MEMS를 향상된 정밀도와 신뢰성으로 설계할 수 있습니다. 의료 기기, 자동차 센서소비자 가전에서 중추적인 역할을 하며 소형 시스템에서 혁신적인 기능과 향상된 성능을 구현합니다.





SiC 실리콘 카바이드 SOI 웨이퍼 사이즈 차트

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상품번호 웨이퍼 직경(μm) 소자층 두께(μm) 매장 열산화물 두께(μmï¼ 핸들 웨이퍼 두께(μm)
CS-SOI-GP1001 50±25μm 0.1-300μm 50nm(500°)~15μm 100μm
CS-SOI-GP1002 75±25μm
CS-SOI-GP1003 100±25μm
CS-SOI-GP1004 125±25μm
CS-SOI-GP1005 150±25μm
CS-SOI-GP1006 200±25μm





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