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SiC 세라믹 기판
고전력 SiC 세라믹 기판 전도성 및 반절연 유형 고전력 SiC 세라믹 기판 전도성 및 반절연 유형

고전력 SiC 세라믹 기판 전도성 및 반절연 유형

반도체 칩의 기초 소재인 SiC 기판은 전도성 및 반절연 유형으로 고온, 고전압, 대용량 애플리케이션을 지원하며 직경 2~8인치(50~200mm)로 제공됩니다.
  • 제품 번호. :

    CS-SIC-CD001
  • Material : SiC

  • 기술

SiC 탄화규소 기판의 특성


  1. 고온 안정성: SiC 기판은 격자 변형을 최소화하면서 고온에서도 탁월한 안정성을 유지하여 팽창이나 열폭주를 방지합니다.
  2. 내화학성: 우수한 내식성을 갖춘 SiC 기판은 산성 및 알칼리성 환경을 견디며 장기적인 화학적 안정성을 보장합니다.
  3. 기계적 내구성: SiC 기판은 높은 기계적 강도, 경도, 내마모성을 자랑하며 탄성률이 크고 영률이 높아 변형을 방지합니다.



SiC탄화규소 기판의 응용


  1. 고전력 장치: SiC의 높은 열 전도성, 높은 항복 전계 강도 및 낮은 에너지 손실은 전원 모듈 및 드라이브 모듈에 이상적입니다.
  2. RF전자: SiC의 전도성은 고주파 작동을 지원하므로 RF 전력 증폭기, 마이크로파 장치 및 고주파 스위치에 적합합니다.
  3. 광전자공학: SiC의 넓은 에너지 격차와 높은 열 안정성은 포토다이오드, 태양전지, 레이저 다이오드에 적합합니다.
  4. 온도 센서: SiC의 열 전도성과 안정성은 광범위한 고정밀 온도 센서에 이상적입니다.




SiC 실리콘 카바이드 기판의 사이즈 차트

맞춤 제작을 위한 도면 및 매개변수 요구사항을 제공해 주세요.


SiC 기판 사각
품번 LÃW
(mm)
두께
(mm)
CS-SIC-CD001 10*3 0.5/1.0
CS-SIC-CD002 10*5 0.5/1.0
CS-SIC-CD003 10*10 0.5/1.0
CS-SIC-CD004 15*15 0.5/1.0
CS-SIC-CD005 20*15 0.5/1.0
CS-SIC-CD006 20*20 0.5/1.0


SiC 기판 라운드
상품번호 직경
(인치)
두께
(mm)
CS-SIC-CD101 2 2
CS-SIC-CD102 3 3
CS-SIC-CD103 4 4
CS-SIC-CD104 6 2
CS-SIC-CD105 8 3



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